MOS管由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單*型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（10^7~10^12Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙*型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。

　　如何正確選擇MOS管?選型四要領(lǐng)

　　1）用N溝道或P溝道？

　　選擇好MOS管器件的*步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOS管接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOS管，這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOS管連接到總線及負(fù)載接地時(shí)，就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOS管，這也是出于對電壓驅(qū)動(dòng)的考慮。

　　2）確定MOS管的額定電流

　　該額定電流應(yīng)是負(fù)載在所有情況下能夠承受的*大電流。與電壓的情況相似，確保所選的MOS管能承受這個(gè)額定電流，即使在系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時(shí)。兩個(gè)考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式下，MOS管處于穩(wěn)態(tài)，此時(shí)電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了這些條件下的*大電流，只需直接選擇能承受這個(gè)*大電流的器件便可。

　　3）選擇MOS管的下一步是系統(tǒng)的散熱要求

　　須考慮兩種不同的情況，即*壞情況和真實(shí)情況。建議采用針對*壞情況的計(jì)算結(jié)果，因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供更大的安全余量，能確保系統(tǒng)不會(huì)失效。

　　4）選擇MOS管的*后一步是決定MOS管的開關(guān)性能

　　影響開關(guān)性能的參數(shù)有很多，但*重要的是柵*/漏*、柵*/源*及漏*/源*電容。這些電容會(huì)在器件中產(chǎn)生開關(guān)損耗，因?yàn)樵诿看伍_關(guān)時(shí)都要對它們充電。MOS管的開關(guān)速度因此被降低，器件效率也下降。為計(jì)算開關(guān)過程中器件的總損耗，要計(jì)算開通過程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過程中的損耗(Eoff)。

　　需要注意哪些細(xì)節(jié)？整理如下:

　　MOS管導(dǎo)通后的無方向性，MOS在加壓導(dǎo)通后，就類似于一根導(dǎo)線，只具有電阻特性，無導(dǎo)通壓降，通常飽和導(dǎo)通電阻為幾到幾十毫歐，且無方向性，允許直流和交流電通過。

　　（1）為了安全使用MOS管，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過管的耗散功率，*大漏源電壓、*大柵源電壓和*大電流等參數(shù)的*限值。

　　（2）各類型MOS管在使用時(shí)，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中，要遵守MOS管偏置的*性。如結(jié)型MOS管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝道管柵*不能加正偏壓；P溝道管柵*不能加負(fù)偏壓，等等。

　　（3）MOS管由于輸入阻抗*高，所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應(yīng)電勢將柵*擊穿。尤其要注意，不能將MOSMOS管放入塑料盒子內(nèi)，保存時(shí)*好放在金屬盒內(nèi)，同時(shí)也要注意管的防潮。

　　（4）為了防止MOS管柵*感應(yīng)擊穿，要求一切測試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時(shí)，先焊源*；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時(shí)，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等；當(dāng)然，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵，焊接MOS管是比較方便的，并且確保安全；在未關(guān)斷電源時(shí)，*不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用MOS管時(shí)必須注意。

　　（5）在安裝MOS管時(shí)，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動(dòng)，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時(shí)，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。

　　（6）使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，*大功率才能達(dá)到30W.

　　（7）多管并聯(lián)后，由于*間電容和分布電容相應(yīng)增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過4個(gè)，而且在每管基*或柵*上串接防寄生振蕩電阻。

　　（8）結(jié)型MOS管的柵源電壓不能接反，可以在開路狀態(tài)下保存，而絕緣柵型MOS管在不使用時(shí)，由于它的輸入電阻非常高，須將各電*短路，以免外電場作用而使管子損壞。

　　（9）焊接時(shí)，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對于少量焊接，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接。特別在焊接絕緣柵MOS管時(shí)，要按源*-漏*-柵*的先后順序焊接，并且要斷電焊接。

　　（10）用25W電烙鐵焊接時(shí)應(yīng)迅速，若用45~75W電烙鐵焊接，應(yīng)用鑷子夾住管腳根部以幫助散熱。結(jié)型MOS管可用表電阻檔定性地檢查管子的質(zhì)量（檢查各PN結(jié)的正反向電阻及漏源之間的電阻值），而絕緣柵場效管不能用萬用表檢查，必須用測試儀，而且要在接入測試儀后才能去掉各電*短路線。取下時(shí)，則應(yīng)先短路再取下，關(guān)鍵在于避免柵*懸空。

　　在要求輸入阻抗較高的場合使用時(shí)，必須采取防潮措施，以免由于溫度影響使MOS管的輸入電阻降低。如果用四引線的MOS管，其襯底引線應(yīng)接地。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性，應(yīng)注意避光使用。

　　對于功率型MOS管，要有良好的散熱條件。因?yàn)楣β市蚆OS管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用，必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長期穩(wěn)定可靠地工作。

　　總而言之，為了保證MOS管安全使用，要注意的事項(xiàng)較多，廣大的專業(yè)技術(shù)人員，特別是廣大的電子愛好者，都要根據(jù)自己的實(shí)際情況出發(fā)，采取切實(shí)可行的辦法，安全有效地用好MOS管。